大家(jiā)好，来看(kàn)一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(l湖南电大几本，湖南长沙电大是几本e)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产品存在(zài)较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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